Несмотря на то, что P-канальные транзисторы распространены гораздо меньше, чем их N-канальные собратья (этим, в частности, обуславливается относительная немногочисленность их номенклатуры), они находят свое применение в системах защиты аккумуляторных батарей, защиты шин питания от выбросов напряжений и системах коммутации нагрузки.
Серия 30 В P-канальных транзисторов компании International Rectifier обладает низким сопротивлением открытого канала: лучшие представители этой серии имеют Rds(on) не более 4.6 мОм при Vgs = 10 В. Максимально-допустимая разность напряжений между затвором и истоком составляет 20 В, что делает данные транзисторы идеальным решением для вычислительной техники с шиной 12-20 В. Серия представлена в стандартных корпусах для SMD-монтажа – SO-8, SOT-23 и TSOP-6 и имеет совместимость выводов с транзисторами других производителей, что значительно упрощает их использование в существующих и новых устройствах. Данные транзисторы обеспечивают низкие потери проводимости и обладают повышенной надежностью, благодаря своим электрическим характеристикам.
Одной из основных схем, в которых с успехом могут применяться P-канальные транзисторы, является схема коммутации и защиты аккумуляторной батареи, представленная на рисунке:
Непрерывное питание схемы управления защиты аккумуляторной батареи обеспечивается внутренними диодами транзисторов даже при закрытых транзисторах, когда батарея защищена и отключена от внешних цепей. При открытых ключах ток может протекать в обоих направлениях: от батареи (при работе на внешнюю нагрузку) или в батарею (в процессе зарядки АКБ). В таком применении ток является постоянным и потери в системе составляют потери на проводимость в ключевых элементах. Применение рассматриваемого семейства P-канальных транзисторов позволяет добиться высокого КПД данной системы (благодаря низкому сопротивлению канала транзистора) и организовать работу систем с 24 В аккумуляторными батареями.
Транзисторы соответствуют стандарту RoHS: не содержат свинец, бромиды и галогены, а также безопасны для окружающей среды на протяжении всего жизненного цикла компонента.
| Наименование | Корпус | Ток Id макс. при Ta=25°C, А | Rds(on) мОм при Vgs=10 В | Rds(on) мОм при Vgs=4.5 В | ||
| Тип. | Макс. | Тип. | Макс. | |||
| IRF9310 | SO-8 | 20 | 3.9 | 4.6 | 5.8 | 6.8 |
| IRF9317 | SO-8 | 16 | 5.4 | 6.6 | 8.3 | 10.2 |
| IRF9321 | SO-8 | 15 | 5.9 | 7.2 | 9.3 | 11.2 |
| IRF9328 | SO-8 | 12 | 10.0 | 11.9 | 16.1 | 19.7 |
| IRF9332 | SO-8 | 9.8 | 13.6 | 17.5 | 22.5 | 28.1 |
| IRF9333 | SO-8 | 9.2 | 15.6 | 19.4 | 25.6 | 32.5 |
| IRF9335 | SO-8 | 5.4 | 48 | 59 | 83 | 110 |
| IRF9358 | SO-8 (сдвоенный) | 9.2 | 13.0 | 16.3 | 19.0 | 23.8 |
| IRF9362 | SO-8 (сдвоенный) | 8 | 17.0 | 21.0 | 25.7 | 32 |
| IRLML9301 | SOT-23 | 3.6 | 51 | 64 | 82 | 103 |
| IRLML9303 | SOT-23 | 2.3 | 135 | 165 | 220 | 270 |
| IRFTS9342 | TSOP-6 | 5.8 | 32 | 40 | 53 | 66 |
| IRFTS8342 | TSOP-6 | 8.2 | 15 | 19 | 22 | 29 |
Источник: compel.ru