EFC6601R и EFC6602R - два новых встречно-сдвоенных силовых N-канальных MOSFET транзистора от компании ON Semiconductor, предназначенных для использования в переносных устройствах с батарейным питанием, где они могут играть основную роль в цепях коммутации питания, схем заряда и защиты литий-ионных (Li-ion) аккумуляторов.
Созданные для систем с питанием от одно- или двухэлементных литий-ионных батарей, новые встречно-сдвоенные MOSFET транзисторы имеют очень низкие потери на проводимость и очень малые размеры корпуса. Применение EFC6601R и EFC6602R позволят уменьшить габариты, увеличить КПД и продлить время работы разрабатываемого устройства от аккумуляторных батарей.
Максимальное напряжение исток-исток для EFC6601R составляет 24 В, а для EFC6602R – 12 В. Оба сдвоенных транзистора имеют объединенные стоки, работают при напряжении питания от 2.5 В и содержат встроенные защитные диоды.
| Наименование | Uси (макс.), В | Uзатв (макс.), В | Iс (макс.), A | Pрасс (макс.), Вт | Rси(вкл,макс) @Uз=2.5В, мОм | Rси(вкл,макс) @Uз=4.5В, мОм | Qз(тип) @Uз=4.5В, нКл | Корпус |
| EFC6601R | 24 | 12 | 13 | 2 | 17 | 11.5 | 48 | WLCSP-6 |
| EFC6602R | 12 | 12 | 18 | 2 | 11 | 5.9 | 55 | WLCSP-6 |
Источник: compel.ru