RadioRadar - Радиоэлектроника, даташиты, схемы

https://www.radioradar.net/news/electronics_news/sib456dk_sia416dj_mosfet_vishay.html

SiB456DK и SiA416DJ – новые 100 В n-канальные MOSFET от Vishay

Компания Vishay Intertechnology представила SiB456DK и SiA416DJ - новые мощные 100 В N-канальные TrenchFET MOSFET. SiB456DK и SiA416DJ являются первыми промышленными 100 В N-канальными устройствами в компактном, термически усиленном PowerPAK SC-75 1.6х1.6 мм и PowerPAK SC-70 2х2 мм с сопротивлением открытого канала менее 200 мОм и 100 мОм, соответственно.
Основные преимущества:

    Сопротивление до 83 мОм при 10 В приводит к снижению потерь проводимости, что уменьшает энергопотребление и увеличивает эффективность;
    Ультра-компактные корпуса 1.6х1.6 мм PowerPAK SC-75 и 2х2 мм PowerPAK SC-70 позволяют экономить место на печатной плате;
    Низкое сопротивление и заряд затвора. Ключевой показатель (FOM) – до 455 мОм-нК при 4.5 В;
    Сопротивление в диапазоне до 4.5 В упрощает управление затвором;

Новые MOSFET могут найти свое применение в повышающих преобразователях, DC/AC инверторах малой мощности и в миниатюрных DC/DC преобразователях для телекоммуникаций, POL приложениях и для светодиодного освещения в портативной технике.

 Источник: compel.ru