Компания Vishay расширила семейство мощных P-канальных MOSFET транзисторов двумя новыми представителями SiA447DJ и Si5429DU, с допустимыми напряжениями сток-исток 12 В и 30 В, соответственно. Транзисторы изготовлены по современной технологии TrenchFET Gen III и имеют самое низкое в отрасли сопротивление открытого канала при управляющем напряжении 4.5 В. Отдельно отметим транзистор SiA447DJ, который способен уверенно открываться при напряжении на затворе до 1.5 В. Это позволяет SiA447DJ работать в составе устройств с низкой шиной питания, что особенно актуально для портативных устройств.
SiA447DJ и Si5429DU доступны в корпусах PowerPAK SC-70 и PowerPAK ChipFET, размером 2х2 мм и 1.8х3 мм, соответственно. Такие компактные корпуса позволяют значительно экономить место на печатной плате.
Ключевое преимущество
Ультранизкое сопротивление Rds(on) при напряжении на затворе 4.5 В:
13.5 мОм для SiA447DJ, что на 12% ниже чем у ближайших конкурентов;
22 мОм для Si5429DU, что на 35% ниже чем у ближайших конкурентов.
Технические характеристики представлены в таблице:
SiA447DJ | Si5429DU | |
VDS (В) | -12 | -30 |
VGS (В) | 8 | 20 |
RDS(ON) at 10 V (мОм) | - | 15 |
RDS(ON) at 4.5 V (мОм) | 13.50 | 22 |
RDS(ON) at 2.5 V (мОм) | 19.40 | - |
RDS(ON) at 1.8 V (мОм) | 35 | - |
RDS(ON) at 1.5 V (мОм) | 71 | - |
Корпус | PowerPAK SC70 | PowerPAK ChipFET |
Источник: www.compel.ru/