Надежные и эффективные низковольтные силовые транзисторы, выполненные по современным технологиям STripFET V (ST..F5, ST..H6) и STripFET VI DeepGATE (ST…F6, ST…H6), компании STMicroelectronics, поступили на наш склад. Высокое максимальное напряжение пробоя позволяет применять некоторые транзисторы новой линейки в телекоммуникационном оборудовании, рассчитанном на 48 В, при этом возможно получить высокую эффективность, что снизит эксплуатационные расходы операторов связи. Применение транзисторов Stripfet 5 и Stripfet Deepgate 6 в импульсных источниках питания снизит тепловыделение и повысит надёжность системы.
Транзисторы STripFET V - низковольтные силовые MOSFET современных поколений STMicroelectronicsТранзисторы STripFET V, по сравнению с предыдущим поколением, имеют сниженное сопротивление слоя металла благодаря увеличению его толщины, а так же улучшенную структуру затвора. В новом поколении транзисторов использован вертикальный контакт m-trench. MOSFET-транзисторы линейки STripFET VI DeepGATE производятся по технологии с глубинным затвором. Это привело к снижению сопротивления открытого канала на 10-15% и повышению устойчивости к лавинному пробою. Новая технология позволяет достигать напряжения сток-исток до 80 В.
Отличные характеристики транзисторов семейств STripFET V и VI помогут разработчикам улучшить свои изделия, особенно в части силовых коммутаций и в импульсных преобразователях питания.
Источник: www.terraelectronica.ru