Корпорация Atmel® объявила, что два новых статических ОЗУ емкостью 4 Мбит отвечают требованиям аэрокосмических приложений по стойкости к радиации, характеристикам, размерам и весу.
Обе новые версии базируются на AT60142E с питанием 3,3В; AT60142F характеризуется улучшенным быстродействием и энергопотреблением, а AT60142FT является версией, совместимой с 5В. Применение AT60142F/FT выгодно там, где требуется высокая производительность обработки информации при малом энергопотреблении, например, в аэрокосмической электронике.
Микросхемы выполнены по КМОП технологии 0,25 мкм, стойкой к радиации, и представляют собой экономичное статическое асинхронное ОЗУ с организацией 512 K x 8 бит. Обе микросхемы могут работать в условиях повышенного радиактивного излучения - порог защеликания и общая доза излучения составляют 70 MeV и 300 крад, соответственно, при этом высокое быстродействие доступа к памяти обеспечивается во всем военно-промышленном температурном диапазоне. По сравнению с AT60142E, у которого время доступа составляет 20 нс, AT60142F достигает значения 15 нс (66 МГц) при потребляемом токе 180 мА, а AT60142FT характеризуется временем доступа 17 нс при потреблении 170 мА. Потребляемый ток также зависит от быстродействия (1…40 МГц) и режима работы (чтение или запись).
AT60142FT является версией AT60142F, совместимой с 5В, и характеризуется восприятием интерфейсных сигналов с уровнями 5В, при этом напряжение смещения внутренней памяти составляет 3,3В. По сравнению с другими статическими ОЗУ емкостью 4 Мбит и напряжением питания 5В, AT60142FT достигает экономии энергии в 53% при равном быстродействии. Это достигается за счет замены буферов на стойкие к 5В версии, в результате гарантируя рабочее быстродействие 17 нс или 59 МГц.
Обе микросхемы, AT60142F и AT60142FT, работают при напряжении смещения 3,3В, при этом, встроенный стабилизатор напряжения смещает массив памяти напряжением 2,5В. Однако, при проектировании разработчик должен предусмотреть только один источник питания напряжением 3,3В, что упрощает применение данной памяти.
Во избежание влияния индуцированных ошибок на один и тот же байт Atmel организовала память AT60142F/FT как восемь параллельных блоков 512K x 1. Это позволит разработчику проще выполнять поиск и коррекцию ошибок, тем самым улучшая характеристики приложения и минимизируя сложность и время проектирования. Частота возникновения индуцированных ошибок не превышает 10-7 на бит в день.
За счет размещения AT60142E и AT60142F/FT в 36-выв. корпусе FP36.5 шириной 500 милидюймов они являются наименьшим типом статического ОЗУ с весом всего лишь 3 грамма, тем самым удовлетворяя строгим требованиям по размерам и весу аэрокосмической промышленности. Обе микросхемы совместимы по размеру, расположению выводов и посадочной площадке с AT60142E. Независимо от того, используется ли AT60142F/FT в корпусе или в виде кристалла она может быть установлена на тоже самое посадочное место или на туже плату, что и AT60142E, тем самым исключая необходимость перепроектировки.
Источник:ineltek