Соответствующие стандартам AEC-Q100, быстродействующие силовые MOSFET и IGBT-драйверы AUIRS2123S и AUIRS2124S нормально функционируют при напряжении питания логической части от 10В до 20В. Выходные драйверы имеют буфер, выдерживающий большие импульсные токи и разработанный для минимизации утечек между каналами при управлении N-канальными силовыми MOSFET или IGBT ключевыми транзисторами с плавающим потенциалом в «верхнем» включении при напряжении до 600В.
Обе снабжены системой защиты от отрицательных выбросов напряжения, чтобы предотвратить выход системы из строя во время переключения больших токов и при коротком замыкании.

Созданные специально для использования в автомобильном оборудовании, микросхемы используют CMOS-технологию без эффекта защелкивания, обладающую исключительной стойкостью к выбросам отрицательного напряжения, чтобы обеспечить электрическую прочность и надежность при работе в агрессивной среде и в устройствах, расположенных под капотом автомобиля. Выходной сигнал микросхемы AUIRS2123S находится в фазе с входным сигналом, в то время как выходной сигнал микросхемы AUIRS2124S находится в противофазе с входным сигналом. Обе микросхемы имеют защиту от повышенного напряжения и CMOS-триггеры Шмидта с подтягивающими к общему проводу резисторами на входах.

В новых микросхемах используется высоковольтная технология компании IR, которая совмещает смещение уровня высокого напряжения и технологию согласования сопротивления нагрузки, чтобы обеспечить непревзойденную электрическую прочность и надежность в полевых условиях.

Источник: terraelectronica.ru