Данные элементы, созданные на основе оксида цинка (ZnO), являются многослойными керамическими изделиями с размером корпуса 0402 и 0603 и имеют нелинейную симметричную вольтамперную характеристику, подобную характеристике включенных встречно-последовательно двух стабилитронов и установленного параллельно им EMC-конденсатора электромагнитной совместимости. Емкость величиной менее 3пФ-компонента в корпусе 0402 и менее 3 и 12пФ для корпуса 0603, а так же малые вносимые потери делают варисторы AntennaGuard пригодными для защиты FET-транзисторов используемых в миниатюрных ВЧ-усилителях от повреждения электростатическими разрядами. Кроме того, возможна замена с их помощью выходных конденсаторов в мобильных телефонах, пейджерах и аппаратуре беспроводных сетей, с добавлением в эти устройства функции подавления электромагнитных помех.

Антенные варисторы обеспечивают повышенную стойкость, по сравнению с диодами в корпусе SOT23, к многократным разрядам статического напряжения, как это записано в требованиях IEC 61000-4-2 8kВ по контактному разряду. Заменяя собой по сути три компонента (два стабилитрона и EMC-конденсатор), ZnO-варистор использует для своего размещения значительно меньшую площадь печатной платы. В ВЧ-аппаратуре, AntennaGuard может обеспечить уменьшение количества компонентов до 86% и сократить площадь печатной платы до 83%. При создании ВЧ-усилителей распространенной практикой является использование FET-транзисторов в различных схемах включения, так как они имеют близкую к оптимальной величину сопротивления цепи затвора и превосходные шумовые характеристики.  В то же время, в этих FET-транзисторах используется более тонкий изолирующий слой оксида кремния для увеличения усиления и уменьшения размера транзистора, что приводит к повышению его чувствительности к повреждениям, вызванным электростатическими разрядами, таким как пробой слоя оксида кремния.

Варисторы AntennaGuard пригодны для защиты FET-транзисторов и, кроме получения компактных размеров, обеспечивают лучшие, чем при использовании диодов, характеристики, включая повышенную стойкость к многократным разрядам с большей величиной протекающего тока, меньшее время включения и присущее компоненту ослабление электромагнитных помех.

Источник: terraelectronica.ru