Передовые параметры новой микросхемы TPS61165 обеспечивают ее работу от входного напряжения в диапазоне от 3 до 18В, что позволяет разработчикам эффективно управлять различными светодиодами высокой мощности, используемыми в аппаратуре с питанием от одной батареи или в конструкциях с локальной нагрузкой и 9 или 12В шиной питания.

TPS61165 позволяет контролировать яркость свечения светодиодов посредством цифрового однопроводного интерфейса или с помощью широтно-модулированного сигнала (ШИМ). С помощью цифрового интерфейса возможно программирование внутреннего регистра управления током светодиодов на один из тридцати двух уровней, расположенных с логарифмическим шагом. Преобразователь так же имеет встроенные функции защиты, такие как защита от обрыва светодиода, мягкий старт, ограничение тока и защита от перегрева.

Кроме управления светодиодами в аппаратуре иллюминации, TPS61165 может работать со светодиодами задней подсветки дисплеев отображения информации с диаметром до девяти дюймов, подобных используемым в сверхкомпактных ПК и ЖКИ-фоторамках, промышленными лазерными диодами или медицинской и промышленной подсветкой.

Компания TI так же представляет новые преобразователи TPS61160 и TPS61161, поддерживающие работу с входным напряжением от 3 до 18В. Обе микросхемы имеют встроенный 0,6A токовый ключ и предназначены для использования в портативной, питающейся от батарей аппаратуре с небольшим дисплеем, например, совместно с 3 или 4-дюймовым дисплеем с задней подсветкой, используемым  в портативных игровых устройствах, GPS-системах и смартфонах. TPS61160 может запитать до шести светодиодов, имея защиту от обрыва светодиодов с напряжением до 26В, а TPS61161 может запитать до десяти светодиодов и имеет защиту от обрыва светодиодов с напряжением до 38В.

Как и в случае TPS61165, яркость свечения светодиодов может регулироваться через однопроводный цифровой интерфейс, с помощью ШИМ-сигнала или аналоговым сигналом, уменьшающим генерацию шума. Микросхемы TPS61165, TPS61161 и TPS61160 поставляются компанией TI без
ограничений в тонком 2x2мм QFN-корпусе.

Источник: terraelectronica.ru