Корпорация IBM в рамках международной конференции по твердотельным схемам (ISSCC) сообщила о разработке новой технологии, позволяющей размещать на процессорах память DRAM.
В настоящее время в процессорах используется кэш-память SRAM (Static RAM). По сравнению с памятью SRAM микрочипы DRAM характеризуется большей плотностью и меньшими токами утечки. Однако до настоящего времени не существовало методики, позволяющей объединять память DRAM с технологией "кремний на изоляторе" (SOI), применяющейся при производстве процессоров. Корпорации IBM удалось найти способ решения проблемы.
Предполагается, что IBM начнет применять новую методику в следующем году при производстве серверных чипов по нормам 45-нанометровой технологии. В этих процессорах вместо SRAM будет использоваться память eDRAM (embedded Dynamic Random Access Memory). Переход на память eDRAM, как ожидается, позволит в три раза увеличить объем кэш-памяти и одновременно вдвое повысить производительность процессоров. Так, если современные чипы IBM имеют до 8 Мб кэш-памяти, то в будущих процессорах данный показатель может составлять от 24 до 48 Мб.
Следует добавить, что IBM проводит часть исследований совместно с компанией Advanced Micro Devices (AMD). Однако пока не ясно, будет ли AMD применять новую технологию IBM в своих будущих процессорах.
Источник: hard.compulenta.ru