Новые IGBT Yangjie для солнечных батарей и накопителей энергии

RadioRadar - Радиоэлектроника, даташиты, схемы

https://www.radioradar.net/news/electronics_news/yangjie_igbt_solar_panels_energy_storage.html

Новые IGBT Yangjie для солнечных батарей и накопителей энергии

Компания Yangzhou Yangjie Electronic Technology выпустила три новых продукта (таблица 1): IGBT в корпусах TO-247 и TO-247 Plus с интегрированным диодом. Транзисторы предназначены для работы в высокочастотных приложениях, таких как зарядные устройства, накопители энергии, солнечные электростанции и различные импульсные преобразователи. Выполненные по технологии Trench-FS, транзисторы обладают лучшим балансом между блокирующей способностью и напряжением насыщения, а также рядом других особенностей:

стандартный форм-фактор корпуса: TO-247 и TO-247 Plus (рисунок 1);
напряжение "коллектор-эмиттер": 1200 В;
ток коллектора: 40 или 75 A;
максимальная температура перехода: 175°C;
интегрированный встречно-параллельный диод с "мягким" восстановлением;
малые напряжение насыщения и потери при переключениях для повышения КПД и экономичности приложений;
соответствие стандартам RoHS.

Внешний вид и назначение выводов новых транзисторов в корпусах TO-247 и TO-247 Plus

Рис. 1. Внешний вид и назначение выводов новых транзисторов в корпусах TO-247 и TO-247 Plus

Таблица 1. Новые транзисторы (IGBT) компании Yangjie

Наименование	Напряжение пробоя (V_CE), В	Ток, А, при температуре корпуса (Tс) 100°C		Напряжение насыщения, (V_CEsat) при Tj = 25°C, В	Энергия выключения (E_off), мДж при Tj = 25°C	Корпус
Наименование	Напряжение пробоя (V_CE), В	коллектора (I_C)	диода (I_F)	Напряжение насыщения, (V_CEsat) при Tj = 25°C, В	Энергия выключения (E_off), мДж при Tj = 25°C	Корпус
DGW40N120CTH1A	1200	40	40	1,85	1,38	TO247
DGQ40N120CTH1A	1200	40	40	1,85	1,38	TO247 Plus
DGQ75N120CTH1B	1200	75	75	2,10	2,2	TO247 Plus

Источник: www.compel.ru