RadioRadar - Радиоэлектроника, даташиты, схемы

https://www.radioradar.net/news/electronics_news/sgt_mosfet_n150v.html

Новая серия SGT MOSFET N150V – специальное решение для PoE от YANGJIE

Протокол Power over Ethernet (PoE), позволяющий сетевым устройствам с интерфейсом Ethernet передавать питание по витой паре, существует уже много лет. В 2018 году был утвержден новый стандарт IEEE 802.3bt, который использует все четыре пары кабеля, тем самым увеличивая максимальную передаваемую мощность. Согласно данному стандарту, источник питания (PSE) теперь может обеспечить 90 Вт выходной мощности, а мощность питаемого устройства (PD) повысилась до 71,3 Вт. Это дает возможность новым приложениям с PoE использовать более высокую плотность мощности.

Для достижения максимального результата компания YANGJIE (КНР), всемирно известная как производитель дискретных полупроводников, выпустила серию N150V – N-канальные MOSFET для решений с IEEE802.3af/at/bt. Используя технологию SGT, новые транзисторы (таблица 1) имеют более высокие скорости переключения и меньшие потери, чем традиционные компоненты, выполненные по технологии Trench MOS.

 

Особенности новой серии N150V:

 

Таблица 1. Основные характеристики транзисторов новой серии N150V

Наименование

Тип канала

Напряжение "исток-сток" VDS, В

Ток стока, ID, А

Пороговое напряжение затвора Vth, В

Сопротивление перехода R dson при VGS = 10 В, мОм

Общий заряд затвора Qg, нКл

Диапазон рабочих температур кристалла, °C

Корпус

Ном.

Макс.

YJS05G15A

N

150

5

2…4

50

70

16

-55…150

SO-8

YJG15G15A

15

52

70

13

PDFN5060

YJD18G15A

18

48

70

18

TO-252

YJF15G15A

15

50

70

18

ITO-220AB

YJG60G15HJ

60

13

19

25

PDFN5060

Источник: www.compel.ru