Диод является простейшим полупроводниковым компонентом, из-за чего может показаться, что в мире сложных интегральных схем и приборов ему не место. Однако это далеко не так: без диодов сейчас редко обходятся даже дискретные электронные схемы:
Ключевой задачей в современной электронике является уменьшение габаритов конечных изделий при одновременном увеличении их мощности. В тренде – низкопрофильные компоненты, позволяющие, помимо прочего, достаточно эффективно рассеивать излишнее тепло за счет относительно большой площади поверхности.
Компания YANGJIE Technology предлагает ассортимент дискретных полупроводниковых диодов GPP, DB, SDB, FRED и TVS в новом корпусе SMBF.
SMBF-корпуса являются прекрасным примером эффективного низкопрофильного решения по оптимизации размеров и теплоотвода. Они тонкие, компактные (рисунок 1) и с высокой эффективностью рассеивают тепло благодаря более коротким, по сравнению с SMB-корпусом, путям отвода тепла по металлическому контакту (рисунок 2).
Рис. 1. Сравнительные размеры корпусов SMBF (а) и SMB (б)
Рис. 2. Путь отвода тепла в корпусах SMBF (а) и SMB (б)
Диоды YANGJIE в корпусе SMBF, доступные со склада КОМПЭЛ, представлены в таблицах 1, 2 и 3. Рабочий диапазон температур составляет 55…150°C.
Таблица 1. Серии GPP-диодов производства компании YANGJIE
Наименование | Максимальное обратное напряжение VRM, В | Средний прямой ток Io, A | Максимальный прямой ток | Максимальное прямое напряжение при токе Io | Максимальный обратный ток | ||
Io, A | VF, В | IR, мкА | IR, мкА (125°C) | ||||
Серия STD | |||||||
GS2ABF | 50…1000 | 2 | 50 | 2 | 1,1 | 5 | 100 |
GS3ABF | 50…1000 | 3 | 100 | 3 | 1,1 | 5 | 100 |
Серия FR | |||||||
GR2ABF | 50…1000 | 2 | 50 | 2 | 1,3 | 5 | 100 |
GR3ABF | 50…1000 | 3 | 100 | 3 | 1,3 | 5 | 100 |
GR4MBF | 1000 | 4 | 120 | 4 | 1,3 | 5 | 100 |
Серия HER | |||||||
HS2ABF | 50…200 | 2 | 50 | 2 | 1 | 5 | 100 |
HS2GBF | 400 | 2 | 50 | 2 | 1,3 | 5 | 100 |
HS2JBF | 600…1000 | 2 | 50 | 2 | 1,7 | 5 | 100 |
HS3ABF | 50…200 | 3 | 100 | 3 | 1 | 5 | 100 |
HS3GBF | 400 | 3 | 100 | 3 | 1,3 | 5 | 100 |
HS3JBF | 600 | 3 | 100 | 3 | 1,7 | 5 | 100 |
Серии SF, MUR, UG | |||||||
ES2ABF | 50…200 | 2 | 50 | 2 | 0,95 | 5 | 100 |
ES2FBF | 300…400 | 2 | 50 | 2 | 1,3 | 5 | 100 |
ES2HBF | 500…600 | 2 | 50 | 2 | 1,7 | 5 | 100 |
ES2KBF | 800 | 2 | 50 | 2 | 1,85 | 5 | 100 |
ES3ABF | 50…200 | 3 | 100 | 3 | 0,95 | 5 | 100 |
ES3FBF | 300…400 | 3 | 100 | 3 | 1,3 | 5 | 100 |
ES3HBF | 500…600 | 3 | 100 | 3 | 1,7 | 5 | 100 |
ES3KBF | 800 | 3 | 100 | 3 | 1,85 | 5 | 100 |
MURS220BF | 200 | 2 | 50 | 2 | 0,92 | 5 | 50 |
MURS240BF | 400…600 | 2 | 50 | 2 | 1,25 | 5 | 50 |
MURS320BF | 200 | 3 | 100 | 3 | 0,92 | 5 | 50 |
MURS340BF | 400…600 | 3 | 100 | 3 | 1,25 | 5 | 50 |
MURS460BF | 600 | 4 | 100 | 4 | 1,25 | 5 | 50 |
UG2ABF | 50…200 | 2 | 50 | 2 | 0,92 | 5 | 50 |
UG2FBF | 300…400 | 2 | 50 | 2 | 1,25 | 5 | 50 |
UG2HBF | 500…600 | 2 | 50 | 2 | 1,7 | 5 | 50 |
UG3ABF | 50…200 | 3 | 90 | 3 | 0,92 | 5 | 50 |
UG3FBF | 300…400 | 3 | 90 | 3 | 1,25 | 5 | 50 |
UG3HBF | 50…200 | 3 | 90 | 3 | 0,92 | 5 | 50 |
Таблица 2. Диоды Шоттки серии VF
Тип | Максимальное обратное напряжение VRM, В | Средний прямой ток Io, A | Максимальный прямой ток | Максимальное прямое напряжение при токе Io | Максимальный обратный ток | ||
Io, A | VF, В | IR, мкА | IR, мкА | ||||
SSL545BF | 45 | 5 | 120 | 5 | 0,45 | 0,5 | 50 |
SSL56BF | 60 | 5 | 120 | 5 | 0,5 | 0,5 | 50 |
Таблица 3. TVS-диоды YANGJIE
Серия | Полярность | Пиковая рассеиваемая мощность, импульс 10/1000мкс, Вт | Рабочее пиковое обратное напряжение, VRWM, В | Пиковый импульсный ток, импульс 10/1000мкс, IPP, А |
SMBF | Uin | 600 | 5…200 | 1,69…65,22 |
Bi | 600 | 5…200 | 1,69…65,22 |
Источник: www.compel.ru