Полупроводниковые компоненты JSCJ для беспроводных зарядных устройств технологии Power Delivery

RadioRadar - Радиоэлектроника, даташиты, схемы

https://www.radioradar.net/news/electronics_news/jscj_semiconductor_components_power_delivery_wireless_chargers.html

Полупроводниковые компоненты JSCJ для беспроводных зарядных устройств технологии Power Delivery

Компания Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) – один из главных производителей полупроводниковых компонентов в Китае. Для удобного построения функциональных узлов беспроводных зарядных устройств (рисунок 1), таких как управление входом питания от USB, мостовой инвертор, переключение электромагнитных катушек, управление выходом и прочие, JSCJ предлагает следующую продукцию:

N- и P-канальные транзисторы MOSFET (CJMP3009G) и их сборки (таблица 1);
LDO-стабилизаторы напряжения с малым током потребления и низким уровнем шумов (таблица 2);
диоды Шоттки с большим током в компактном корпусе (таблица 3).

Функциональные узлы беспроводного зарядного устройства

Рис. 1. Функциональные узлы беспроводного зарядного устройства

Таблица 1. Транзисторы и транзисторные сборки MOSFET производства компании JSCJ

Наименование	Напряжение "сток-исток" (V_DS), В	Напряжение "затвор-исток" (V_GS), В	Ток, А	Номинальное сопротивление перехода (Rdson), мОм		Входная емкость (Ciss), пФ	Общий заряд затвора (Qg), нКл	Корпус
Наименование	Напряжение "сток-исток" (V_DS), В	Напряжение "затвор-исток" (V_GS), В	Ток, А	V_GS= 10 В	V_GS= 4,5 В	Входная емкость (Ciss), пФ	Общий заряд затвора (Qg), нКл	Корпус
2N7002K	60	±20	0,34	900	1100	40	–	SOT-23
CJAB35N03S	30		35	5,2	7,5	1100	24	PDFNWB3,3×3,3-8L
CJAB35SN03	30		35	5,6	7,5	630	18	PDFNWB3,3×3,3-8L
CJAB55N03S	30		55	3,8	5,9	2800	50	PDFNWB3,3×3,3-8L
CJAE35SN06	60		35	7,5	10,5	1270	28	DFNWB3,3×3,3-8L
CJQ14SN06	60		14	9,7	12,8	1257	19,9	SOP-8
CJMP3009G	-30		-9	19	27	1400	25	DFNWB2x2-6-8L
CJBD3020	30		20	9,5	14,5	823	14	PDFNWB3,3×3,3-8L
CJFB30H20	30		20	8,5	12	823	13	DFNWB5x6-8L

На рисунке 2 приведены эквивалентные схемы транзистора 2N7002K, а также сборок CJBD3020 и CJFB30H20.

Эквивалентные схемы транзисторных сборок

Рис. 2. Эквивалентные схемы транзисторных сборок

Таблица 2. LDO-стабилизаторы производства JSCJ

Наименование	Напряжение, В		Ток, мА	Падение напряжения, мВ	Ток потребления, мкА	Подавление пульсаций источника питания (PSRR) при 1 кГц, дБ	Корпус
	Входное	Выходное
CJ6330B33M	2,5…18	3,3	300	160	2	65	SOT-23-5L
CJ6330B50M		5,0

Таблица 3. Диоды Шоттки JSCJ

Наименование	Напряжение, В	Ток, А	Падение напряжения, В	Максимальный обратный ток, мкА	Корпус
DSS34	40	3	0,55	500	SOD-123FL
DSS36	60	3	0,7	500	SOD-123FL

Небольшие корпуса с высокой плотностью мощности полупроводниковых компонентов, а также низкое сопротивление открытого канала транзисторов и сборок производства компании JSCJ позволяют спроектировать компактные и высокоэффективные беспроводные зарядные устройства.

Источник: www.compel.ru