В условиях интенсивного роста рынка инверторов и других преобразователей энергии наблюдается устойчивый спрос на карбид-кремниевые полевые транзисторы (SIC MOSFET). Они становятся особенно популярны благодаря тому, что при совместном использовании с карбид-кремниевыми диодами в составе силовых узлов позволяют значительно увеличить скорость переключения и одновременно с этим повысить эффективность всей системы при оптимальном энергопотреблении.
Компания YANGJIE – крупнейший производитель полупроводниковых дискретных и силовых компонентов – представляет SIC MOSFET собственной разработки. Данные транзисторы отвечают высоким требованиям индустрии по таким показателям, как скорость переключения, пропускная способность по току и высокая надежность. Такие компоненты особенно хорошо подходят для применения в устройствах с повышенными требованиями к уровню управляемости и скорости переключения транзистора.
Отличительной чертой данных SIC MOSFET является стабильность параметров при довольно высоком значении максимальной температуры (до 175°C). Кроме того, эти униполярные устройства с высокой скоростью переключения подходят для высоковольтных и высокочастотных приложений. Благодаря новой технологии производства тонких слоев карбид-кремниевые полевые транзисторы характеризуются низким импедансом, что существенно снижает потери (таблица 1).
Таблица 1. Основные технические параметры SIC MOSFET производства YANGJIE
Наименование | Блоки-рующее напря-жение, В | Ток, A | Поколе-ние | Сверхнизкое сопротив-ление канала в открытом состоянии, мОм @25°C | Заряд затвора, нКл | Выходная емкость, пФ | Рассеива-ние мощнос-ти, Вт | Тепловое сопротив-ление, | Корпус |
YJD21080NCTG1 | 1200 | 38 | 1 | 77 | 41 | 58 | 220 | 0,68 | TO-247-3L |
YJD21080NCFG1 | 1200 | 38 | 1 | 77 | 41 | 58 | 223 | 0,67 | TO-247-4L |
YJD212040NCTG2 | 1200 | 66 | 2 | 33 | 116 | 127 | 333 | 0,45 | TO-247-3L |
YJD212040NCFG2 | 1200 | 66 | 2 | 33 | 116 | 127 | 333 | 0,45 | TO-247-4L |
* Максимальная температура перехода – 175°С. | |||||||||
Стоит также отметить, что YANGJIE предлагает на выбор несколько вариантов корпусов, например, TO-247-3L и TO-247-4L (рисунок 1).
Рис. 1. SIC MOSFET производства YANGJIE в корпусах TO-247-3L (а) и TO-247-4L (б)
Высоковольтные карбид-кремниевые полевые транзисторы производства компании YANGJIE изготовлены из экологичных материалов и отвечают требованиям стандартов RoHS. Они прошли все процедуры сертификации в индустрии, включая тесты HTRB, THGB и HV-H3TRB.
Варианты применений:
Источник: www.compel.ru