Infineon расширил семейство OptiMOS транзисторами в корпусах TOLG и TOLT

RadioRadar - Радиоэлектроника, даташиты, схемы

https://www.radioradar.net/news/electronics_news/infineon_optimos_tolg_tolt.html

Infineon расширил семейство OptiMOS транзисторами в корпусах TOLG и TOLT

Компания Infineon расширила линейку уже успевших завоевать популярность транзисторов OptiMOS, дополнив ее новыми приборами в корпусах TOLG и TOLT. Транзисторы OptiMOS относятся к полевым транзисторам с суперпереходом (SJ MOSFET) и имеют лучшее в своем классе сочетание повышенной установочной мощности, малого уровня потерь и низкой стоимости, позволяющее использовать их в самых разнообразных приложениях.

Высокие технические характеристики транзисторов OptiMOS обеспечиваются не только передовыми технологиями в изготовлении полупроводниковых кристаллов, но и использованием специализированных корпусов нового поколения. Корпуса TOLG (PG-HSOG-8) и TOLT (PG-HDSOP-16) относятся к семейству безвыводных корпусов TOLх, предназначенных для поверхностного монтажа. Их ключевой особенностью является отсутствие традиционных для приборов подобного класса проволочных или штыревых выводов (рисунок 1).

Внешний вид транзисторов в корпусах TOLG (слева) и TOLT (справа)

Рис. 1. Внешний вид транзисторов в корпусах TOLG (слева) и TOLT (справа)

Благодаря увеличенной площади контактов, корпуса TOLх имеют повышенную нагрузочную способность, позволяя пропускать через кристалл транзистора ток свыше 300 A. Они также имеют меньшее активное и индуктивное сопротивление силовой цепи, что позволяет снизить как общее сопротивление транзистора в открытом состоянии RDS(on), так и уровень перенапряжений, возникающих в момент коммутации. Кроме этого, корпуса TOLх имеют меньшие размеры и меньшее тепловое сопротивление по сравнению с другими версиями корпусов для поверхностного монтажа. Таким образом, использование корпусов TOLG и TOLT позволяет увеличить удельную мощность и КПД импульсных преобразователей с одновременным снижением уровня излучаемых помех.

Основным отличием корпусов TOLG от TOLT является способ отвода тепла от кристаллов транзисторов. Теплоотводящая площадка корпусов TOLG расположена на нижней стороне корпуса. В этом случае основной отвод тепла производится через печатную плату с возможностью установки радиатора на противоположной стороне. В отличие от них, корпуса TOLT рассчитаны на использование радиаторов, соприкасающихся с верхней стороной корпуса, что позволяет уменьшить нагрев печатной платы и улучшить охлаждение кристалла.

По сравнению с существующими корпусами TOLL, корпуса TOLG и TOLT имеют следующие конкурентные преимущества:

согласно результатам испытаний по стандарту IPC-9701, на платах с алюминиевым основанием (Al-IMS) корпуса TOLG имеют меньшее тепловое сопротивление между корпусом и печатной платой;
корпуса TOLT имеют на 50% меньшее тепловое сопротивление между корпусом и радиатором, контактирующим с верхней стороной корпуса, и на 5% меньше нагревают печатную плату;
использование корпусов TOLT позволяет уменьшить стоимость печатной платы и радиатора приблизительно на 8%.

Новые транзисторы OptiMOS имеют максимально допустимое напряжение от 80 до 250 В и способны коммутировать токи до 454 А (таблица 1). Ключевыми преимуществами новых приборов являются:

использование самых передовых технологий производства полупроводниковых элементов;
возможность коммутации токов свыше 300 А;
меньшее сопротивление канала транзистора в проводящем состоянии RDS(on);
меньший уровень перенапряжений при коммутациях;
меньшее тепловое сопротивление между корпусом и радиатором, а также между корпусом и печатной платой;
возможность эффективного отвода тепла с верхней стороны транзистора (корпуса TOLT);
на 60% меньшая площадь, занимаемая транзисторами на печатной плате (по сравнению с корпусами D2PAK).

Таблица 1. Основные характеристики новых транзисторов OptiMOS

Наименование	V_DS, В	I_D, А	R_DS(on), мОм	Корпус
IPTG007N06NM5ATMA1	60	454	0,75	PG-HSOG-8
IPTG011N08NM5ATMA1	80	408	1,1	PG-HSOG-8
IPTG014N10NM5ATMA1	100	366	1,4	PG-HSOG-8
IPTG111N20NM3FDATMA1	200	108	11,1	PG-HSOG-8
IPTG210N25NM3FDATMA1	250	77	21	PG-HSOG-8
IPTC012N08NM5ATMA1	80	396	1,2	PG-HDSOP-16
IPTC014N08NM5ATMA1	80	330	1,4	PG-HDSOP-16
IPTC015N10NM5ATMA1	100	354	1,5	PG-HDSOP-16
IPTC019N10NM5ATMA1	100	279	1,9	PG-HDSOP-16

Новые транзисторы OptiMOS предназначены для использования в приложениях, критичных к значениям КПД и удельной мощности (рисунок 2), основными из которых являются:

импульсные преобразователи электрической энергии;
электроинструменты;
небольшие электромобили;
электроскутеры, электросамокаты и прочий маломощный электротранспорт;
зарядные устройства и системы управления аккумуляторными батареями;
системы управления и распределения питания.

Пример применения транзисторов OptiMOS

Рис. 2. Пример применения транзисторов OptiMOS

Источник: www.compel.ru