SiC MOSFET на 1200 В от Wolfspeed для маломощных преобразователей энергии
Компания Wolfspeed выпустила новые карбид-кремниевые транзисторы C3M0350120D/J на напряжение 1200 В, предназначенные для маломощных устройств мощностью до 500 Вт. Карбид-кремниевые транзисторы в сравнении с кремниевыми (IGBT/MOSFET) демонстрируют меньший на 75% уровень потерь на переключение и меньшее на 50% значение потерь проводимости в рабочем режиме при температуре кристалла 100…150°С. Сопротивление открытого канала SiC MOSFET по сравнению с традиционными MOSFET гораздо менее зависит от температуры .
Новые транзисторы предлагаются в двух типах корпусов: TO-247-3 и TO-263-7.
Технические особенности:
- Слабая зависимость сопротивления канала Rds(on) от температуры;
- Рабочая температура кристалла до 175°С;
- Низкие значения паразитных емкостей;
- Высокие динамические параметры;
- Увеличенная плотность мощности преобразователя;
- Снижение размера, веса и требований к охлаждению преобразователю;
- Два варианта исполнения по корпусам – TO-247-3 и TO-263-7 (D2PAK).
Целевые применения:
- Высоковольтные источники питания мощностью до 500 Вт;
- Преобразователи для собственных нужд транспорта;
- Инверторы для солнечной энергетики;
- Источники бесперебойного питания.
Источник: www.compel.ru