RadioRadar - Радиоэлектроника, даташиты, схемы

https://www.radioradar.net/news/electronics_news/mosfet_transistors_1200v_to247_3_4.html

Новые карбид-кремниевые MOSFET-транзисторы CoolSiC 1200 В в корпусе TO247-3/-4

Новые MOSFET-транзисторы от компании Infineon линейки CoolSiC 1200 В в корпусе TO247-3/-4 основаны на современных технологиях построения полупроводников и оптимизированы для обеспечения высоких показателей производительности и надежности.

Преимущество использования SiC-транзисторов по сравнению с Si-решениями – это более высокий КПД, что особенно важно для систем преобразования энергии. По сравнению с IGBT и MOSFET на основе Si, SiC MOSFET имеют ряд преимуществ: самые низкие уровни заряда затвора и емкости среди 1200 В переключателей, отсутствие потерь на восстановление внутреннего диода, низкие потери при переключении, не зависящие от температуры, и беспороговая характеристика.

MOSFET линейки CoolSiC прекрасно подходят для топологий с жесткой и резонансной коммутацией, таких как схемы коррекции коэффициента мощности (ККМ), двунаправленные топологии, DC/DC-преобразователи или DC/AC-инверторы.

Особенности:

• Низкие потери при переключении;
• Беспороговая характеристика;
• Широкий диапазон напряжений "затвор-исток";
• Пороговое напряжение затвора VGS(th) = 4,5 В;
• Контролируемая скорость нарастания напряжения (dV/dT);
• Надежный токопроводящий диод для жесткой коммутации;
• Потери при переключении не зависят от температуры;
• Сохранение работоспособности при возникновении КЗ в течение 3 мкс при напряжении на затворе 15 В.

Доступны для заказа в корпусах TO247-4. Данный корпус имеет дополнительный сигнальный вывод истока для оптимизации процесса переключения.

Применение:

• Системы преобразования солнечной энергии;
• Системы зарядки электромобилей;
• Источники бесперебойного питания (ИБП);
• Блоки питания;
• Управление двигателем.

Пример типовой схемы зарядного устройства на транзисторах серии CoolSiC 1200В

Источник: www.compel.ru