CoolSiC™ G6 - новое (шестое) поколение SiC диодов Шоттки от компании Infineon. Диоды рассчитаны на максимальное напряжение 650 В и доступны в корпусах TO-220 real2pin. До конца года компания планирует расширить семейство CoolSiC™ G6 и другими корпусами.
Новая технология позволяет использовать в производстве более тонкую полупроводниковую пластину, в результате чего значительно снижается прямое падение напряжения на диоде в проводящем состоянии (Vf=1,25 В при TC=25 °C). При этом показатель FOM QCxVf данных диодов остается лучшим в своем классе.
График зависимости прямого падения напряжения от тока через диод для поколений G5 и G6
Также снижение Vf в новых диодах делает возможным замену, например, 8 А диода поколения G5 на 6 А диод поколения G6. При экономии на стоимости компонента, получается примерно тот же уровень мощности потерь, как видно из рисунка ниже.
6 А диод поколения G6 сравним по потерям с 8 А диодом поколения G6
Другой особенностью новых диодов является оптимизация топологии MPS (Merged PIN Schottky) структуры полупроводниковой ячейки, благодаря чему достигается более высокая стойкость к коротким микросекундным токовым перегрузкам.
Совместно с высоковольтными MOSFET линейки CoolMOS™ Infineon диоды G6 составляют основу для построения высокоэффективных компактных источников питания.
Наименование | VRRM , В | IF , TC = 150°C, А | QC , нКл | VF, IF = Iом , В | Корпус |
IDH04G65C6 | 650 В | 4 | 6,9 | 1,25 | TO-220 real2pin |
IDH06G65C6 | 6 | 9,6 | |||
IDH08G65C6 | 8 | 12,2 | |||
IDH10G65C6 | 10 | 14,7 | |||
IDH12G65C6 | 12 | 17,1 | |||
IDH16G65C6 | 16 | 21,5 | |||
IDH20G65C6 | 20 | 26,8 |
Особенности SiC диодов Шоттки CoolSiC™ G6 на 650 В
Целевые применения
Источник: www.compel.ru