RadioRadar - Радиоэлектроника, даташиты, схемы

https://www.radioradar.net/news/electronics_news/expansion_800v_range_coolmos_p7_transistors.html

Расширение номенклатуры 800V CoolMOS P7 транзисторов

Infineon расширила семейство 800 В MOSFET CoolMOS™ P7 транзисторами в корпусах TO-220 FP Narrow Lead и SOT-223. Кроме этого, появились дополнительные представители семейства в ранее анонсированных корпусах. Например, транзисторы в корпусе DPAK теперь представлены в очень широком диапазоне сопротивлений канала с нижней границей 280 мОм.

Отличительной особенностью 800 В MOSFET CoolMOS P7 является снижение более чем на 50% параметров EOSS и QG, а также уменьшение паразитных емкостей CISS и COSS по сравнению с предыдущим поколением CoolMOS С3. Все приборы семейства 800 В MOSFET CoolMOS P7 оснащены ESD защитой в цепи затвора.

Использование 800 В MOSFET CoolMOS P7 в корпусе SOT-223 позволяет реализовать более компактное и дешевое решение, по сравнению с применением транзисторов в корпусе DPAK. Как видно из примера (рисунок ниже), при установке SOT-223 на посадочное место DPAK разница в температуре на корпусе составит всего 2,8°С. А в случае, если компоновка платы позволяет увеличить площадь контакта под выводом стока до 60 мм², разница в нагреве становится равной нулю.

Сравнение нагрева транзисторов в корпусах DPAK и SOT-223

Особенности 800 В MOSFET CoolMOS™ P7

• лучшее соотношение RDS(ON)*EOSS среди конкурентов;
• значительное улучшение динамических параметров QG, CISS, COSS по сравнению с предыдущим поколением;
• пороговое напряжение затвора 3 В ±0,5 В;
• встроенная ESD защита цепи затвора;
• широкая номенклатура корпусов и типовых сопротивлений канала.

Целевые применения

• LED драйверы;
• источники питания собственных нужд;
• зарядные устройства/адаптеры для портативной электроники;
• цепи высоковольтного запуска (High Voltage Start Up) источников питания.

Источник: www.compel.ru