Транзисторы семейства StrongIRFET™ от Infineon позиционируются как замена недорогим MOSFET, выполненным по планарной технологии. Новые транзисторы характеризуются высоким уровнем допустимой токовой нагрузки, низкими значениями RDS(on), высокой стойкостью к перенапряжениям сток-исток и предназначены для работы на частотах до 100 кГц.
Благодаря снижению RDS(on) по сравнению с предыдущим поколением транзисторов, стала возможной замена двух транзисторов в корпусе TO-220 на один в TO-247, что даёт выигрыш как в габаритных размерах изделия, так и в отведении тепла. Также, благодаря оптимизации внутренних токоведущих проводников, удалось увеличить предельно допустимый выходной ток для данного корпуса. Так, например, для IRF200P222 в TO-247AC максимальный продолжительный ток стока при условиях TC = 25°C и VGS=10 В равен 182 А.
Новые транзисторы семейства StrongIRFET™ обладают повышенной стойкостью к импульсам перенапряжения сток-исток, а также к высоким dU/dt. Энергия для однократного или повторяющихся импульсов, а также максимально допустимый ток в режиме лавинного пробоя и подробные условия проведения измерений приведены в технических описаниях производителя (datasheet).
Наименование | VDS, В | RDS(on) макс., мОм при VGS=10 В | ID, А приTC =25 °C | Корпус |
IRF200P222 | 200 | 6.6 | 182 | TO-247AC |
IRF200P223 | 11.5 | 100 | ||
IRF250P224 | 250 | 12.0 | 96 | |
IRF250P225 | 22.0 | 69 | ||
IRF300P226 | 300 | 19.0 | 75 | |
IRF300P227 | 40.0 | 50 |
Особенности StrongIRFET на 200-300 В
Целевые применения
Источник: www.compel.ru