Корпорация National Semiconductor представляет LM4132 - прецизионный источник опорного напряжения, доступный в пяти модификациях с различной точностью: A, В, C, D и E. Приборы класса А имеют точность 0.05 процентов и гарантируемый температурный коэффициент 10 ppm/С°, а приборы класса E - точность 0.5 процентов и температурный коэффициент 30 ppm/C°.
LM4132 имеет параметры как у лучших биполярных ИОН, прошедших лазерную подстройку, но изготовлен он по КМОП технологии. Такие параметры были обеспечены за счет использования EEPROM регистров для коррекции кривизны, температурной зависимости и точности КМОП архитектуры уже после упаковки кристалла в корпус. Эта технология позволяет учесть изменение точности и температурного коэффициента, вносимые при упаковке кристалла в корпус, что невозможно сделать при лазерной подстройке.
В отличие от других LDO ИОН, LM4132 имеет максимальный выходной ток 20 мА и не требует использования выходного конденсатора или буферного усилителя. Эти преимущества и SOT23-5 корпус прибора особенно важны при использовании его в компактных системах.
Последовательные ИОН имеют более низкое потребление, чем шунтирующие ИОН, так как им не требуется обеспечивать максимальный протекающий ток в режиме холостого хода. Это преимущество, объединенное с низким током покоя (60 мкА) и низким падением напряжения (400 мВ), делает LM4132 идеальным для использования в устройствах с автономным питанием.
О LM4132
Характеристики ИОН LM4132:
Начальная точность установки выходного напряжения у приборов с наивысшей точностью 0.05 %
Температурный коэффициент у приборов с наивысшей точностью 10 ppm/C°
Низкий ток потребления 60 мкА
Вход Enable, позволяющий перевести прибор в режим отключения, ток потребления в котором 3 мкА
Максимальный выходной ток 20 мА
Модификации с выходным напряжением 2.048, 2.5 или 4.096 В
Возможность изготовления под заказ ИОН с выходным напряжением в диапазоне от 1.8 до 4.096 В
Входной диапазон напряжения VREF от +400 мВ до 5.5 В при токе 10 мА
Устойчивая работа с керамическими конденсаторами с низким ESR
Источник:chipdoc