Первый в мире 1000V SiC MOSFET

Являясь пионером в области карбид-кремниевых (SiC) силовых компонентов, компания Wolfspeed (CREE POWER) выпустила первый коммерчески успешный SiC MOSFET в 2011 году. И по сей день компания остается лидером в этой области, постоянно пополняя портфолио новыми приборами.

Класс напряжения новых карбид-кремниевых транзисторов 1000 В позволяет проявить определенную гибкость в разработке изделий. Такой номинал напряжения, во-первых, охватывает большинство основных топологий силовых устройств. Во-вторых, для многих приложений уже нет необходимости использовать приборы на 1200 В, которые, как правило, более дорогие.

В течение последних 5 лет SiC MOSFET нашли свою нишу в силовых преобразователях для альтернативной энергетики, промышленных источниках питания и зарядных станциях электротранспорта, во многих случаях заменяя кремниевые IGBT. Карбид-кремниевые транзисторы превосходят традиционные кремниевые полевые транзисторы по основному технологическому показателю качества – Figure–Of–Merit (FOM определяется как R_ds(on)·Q_gate).

SiC MOSFET 3-го поколения:

Наименование	Vds(max) (В)	Rds(on) @ 25°C (мОм)	Ток Id @ 25°C (А)	Корпус
C3M0065090J	900	65	35	D2PAK-7
C3M0065090D		65	36	TO-247-3
C3M0120090D		120	23	TO-247-3
C3M0120090J		120	22	D2PAK-7
C3M0280090J		280	11.5	D2PAK-7
C3M0280090D		280	11.5	TO-247-3
C3M0065100K	1000	65	35	TO247-4
C3M0065100J		65	35	D2PAK-7
C3M0120100K		120	22	TO247-4
C3M0120100J		120	22	D2PAK-7

Технические особенности:

Новейшая технология производства кристаллов SiCC3M™;

Уменьшение паразитной индуктивности вывода за счет соединения Кельвина цепи управления транзистором;

Расстояние утечки тока по поверхности корпуса между стоком и истоком (Creepage distance) – 7 мм (корпус D2PAK-7L) и 8 мм (корпус TO247-4L);

Высокое блокирующее напряжение Vds(max) при низком сопротивлении Rds(on);

Работа преобразователей на высокой частоте коммутации;

Сверхнизкий заряд обратного восстановления диода Qrr;

Ультра-низкая выходная ёмкость Сoss приборов – не более 60 пФ позволяет существенно снизить потери переключения транзистора;

Стойкость транзистора к лавинному пробою.

Системные преимущества:

Снижение потерь переключения на порядок (по сравнению с Si-IGBT);

Меньше мощность потерь – ниже требования к системе охлаждения;

Высокая частота коммутации позволяет уменьшить размеры компонентов и, следовательно, удешевить их;

Обеспечение более высоких удельных показателей преобразователей;

Значительное повышение КПД преобразователя и уменьшение требований к системе охлаждения.

Целевые применения:

Инверторы напряжения;

Зарядные устройства;

Промышленные источники питания;

Высоковольтные DC-DC преобразователи.

RadioRadar - Радиоэлектроника, даташиты, схемы

https://www.radioradar.net/news/electronics_news/1000v_sic_mosfet.html

Первый в мире 1000V SiC MOSFET