RadioRadar - Радиоэлектроника, даташиты, схемы

https://www.radioradar.net/news/electronics_news/igbt5_infineon_modules_xt_technology.html

Новые IGBT5 модули Infineon с технологией .XT

К современным мощным преобразователям энергии предъявляются все более жесткие требования. Они должны быть надежными, обладать большой плотностью мощности и при этом оставаться высокоэффективными. Всем вызовам индустрии отвечает новое поколение модулей Infineon c кристаллами IGBT5 и технологией .XT.

Благодаря снижению толщины кристалла, компании INFINEON удалось добиться уменьшения величин энергии выключения EOFF и напряжения насыщения коллектор-эмиттер VCE(SAT), что позволяет снизить потери, а значит достичь большей плотности мощности в конечном изделии. Новые чипы IGBT имеют слой медной металлизации на своей верхней стороне. Это нововведение дает, во-первых, способность выдерживать токи перегрузки длительностью до 10 мкс, а во-вторых, осуществить внутренние соединения с помощью медных проводников, которые обладают лучшими механическими свойствами по сравнению с алюминиевыми. Наряду с новой методикой низкотемпературного спекания чипов транзисторов и диодов с подложкой, все эти новшества являются основой технологии .XT, дающей до 10 раз больший срок службы модуля.

Модули с кристаллами IGBT5 и технологией .XT будут доступны в корпусах PrimePack™. При этоминженерам INFINEON удалось достичь больших значений рабочего тока по сравнению с приборами на кристаллах предыдущего поколения в тех же корпусах. Это преимущество дает возможность разработчику увеличить выходную мощность, либо значительно продлить срок службы преобразователя.

Кроме этого компания Infineon представила новый корпус PrimePack™3+ и первый модуль в нем FF1800R17IP5. Он имеет ту же площадь основания, что и PrimePack™3, но при этом в комбинации с кристаллами IGBT 5 позволяет увеличить рабочий ток на 33 %.Модуль оснащен дополнительным выводом AC (средняя точка полумоста), а также вспомогательным выводом коллектора транзистора нижнего плеча.

Модули также доступны с нанесенной теплопроводящей пастой TIM (Thermal Interface Material).

Особенности IGBT 5 и .XT:

• снижение статических и динамических потерь;
• улучшение параметров термоциклирования и работы в кратковременно периодических режимах;
• рабочая температура переходаTVJOP=175⁰C;
• увеличение плотности мощности на 25%;
• экономия затрат на охлаждение при неизменной выходной мощности;
• увеличение срока службы до 10 раз при неизменной выходной мощности;
• большая стойкость к перегрузкам.

Источник: www.compel.ru