Новые 800V MOSFET P7 CoolMOS™ от Infineon

RadioRadar - Радиоэлектроника, даташиты, схемы

https://www.radioradar.net/news/electronics_news/800v_mosfet_p7_coolmos.html

Компания Infineon выпустила новое семейство P7 высоковольтных MOSFET на напряжение 800 В. Транзисторы серии CoolMOS P7 – это новый виток развития технологии Superjuction, пионером которой и являлся Infineon.

Целевым применением MOSFET серии P7 являются изолированные AC-DC и DC-DC преобразователи, которые строятся на базе топологий Flyback и Forward с мощностью до 250-300 Вт. Семейство P7 будет интересно в первую очередь разработчикам, которые разрабатывают светодиодные драйверы, сетевые источники электропитания небольшой мощности, а также источники бесперебойного питания для слаботочного оборудования.

Динамические параметры MOSFET P7 с напряжением 800 В удалось уменьшить более чем на 50%, по сравнению с предыдущими семействами С3 и CE. Благодаря этому, потери выключения транзисторов существенно снижены, что дает разработчикам отличный задел для увеличения частоты коммутации преобразователей с последующим уменьшением габаритов конечного изделия.

Таблица 1. Технические параметры MOSFET серии P7

Наименование	Vdss, В	Корпус	Rds(on) тип./макс.@ 10Vgs, Ом	Ток Id @ 25°C, A	Ток Id @ 100°C, A	Qg, нКл
IPD80R280P7	800	D-PAK	0.24 / 0.28	17.0	10.6	36
IPD80R450P7			0.38 / 0.45	11.0	7.1	24
IPD80R1K4P7			1.2 / 1.4	4.0	2.7	10
IPD80R4K5P7			3.8 / 4.5	1.5	1.0	4
IPU80R1K4P7		I-PAK	1.2 / 1.4	4.0	2.7	10
IPU80R4K5P7		I-PAK	3.8 / 4.5	1.5	1.0	4
IPS80R1K4P7		I-PAK SL	1.2 / 1.4	4.0	2.7	10
IPP80R280P7		TO-220	0.24 / 0.28	17.0	10.6	36
IPP80R450P7			0.38 / 0.45	11.0	7.1	24
IPP80R1K4P7			1.2 / 1.4	4.0	2.7	10
IPA80R280P7		TO-220 FP	0.24 / 0.28	17.0	10.6	36
IPA80R450P7			0.38 / 0.45	11.0	7.1	24
IPA80R1K4P7			1.2 / 1.4	4.0	2.7	10
IPW80R280P7		TO-247	0.24 / 0.28	17.0	10.6	36

Технические преимущества:

Лучшее на рынке соотношение FOM – R_ds(on) * E_oss;
Существенно снижены (по сравнению с предыдущим поколением) показатели Q_g, C_iss, C_oss;
Повышение КПД конечных устройств до 0,6% и снижение температуры корпуса до 8°С по сравнению с ближайшими аналогами других производителей;
Самый низкий на рынке параметр V_gs(th)3 В с малым разбросом ±0,5 В;
Встроенная защита затвора от электростатического разряда (2-й класс защиты по HBМ).

Источник: www.compel.ru