Как известно, процесс внедрения определенных примесей в полупроводниковую подложку позволяет изменять ее электронные свойства. Обычно в монокристаллическую пластину кремния или германия вводятся мышьяк или фосфор. При этом в промышленных масштабах используются такие технологические процессы, как диффузия и ионная имплантация. Очевидно, что в молекулярном масштабе природа этих процессов имеет вероятностный характер, но в макро масштабах целого полупроводникого элемента эти процессы позволяют провести предсказуемые изменения его свойств. С уменьшением размеров электронных компонентов случайные изменения в концентрации легирующих примесей могут вызвать непредсказуемые изменения свойств всего полупроводникового элемента.
Такахиро Шинада и его коллеги из Waseda University (Токио, Япония) предложили решение этой проблемы путем внедрения в полупроводник примесей в виде отдельных ионов с нанометровой точностью. Используя технику, известную как имплантация одиночного иона (SII), они добились более однородных электронных свойств полученного в итоге материала. Существенный недостаток предложенного процесса- его длительность; для обработки целой микросхемы ученым потребовалось около 11 дней. Тем не менее, ученые верят, что дальнейшие исследования в этой области дадут существенный толчок в развитии технологии создания электронных приборов с нанометровыми размерами.
Источник:Радиолоцман