RadioRadar - Радиоэлектроника, даташиты, схемы

https://www.radioradar.net/news/electronics_news/p_channel_mosfet_transistors_yangjie.html

Новые P-канальные MOSFET-транзисторы YANGJIE для коммутации цепей питания

Применение полупроводникового компонента в качестве ключа, коммутирующего питание нагрузки, позволяет осуществить более интеллектуальное управление с защитой цепей и оборудования от чрезмерных токов в момент переключения. Постоянно растущий спрос на приложения в таких областях, как искусственный интеллект, обработка данных и прочие, где используются серверы и персональные компьютеры, требует надежных решений по коммутации питания. Например, P-канальные MOSFET позволяют коммутировать питание в цепи положительной полярности.

Компания Yangzhou Yangjie Electronic Technology (YANGJIE) недавно расширила ряд таких транзисторов: новые MOSFET рассчитаны на максимальные напряжение "сток-исток" 40 В и ток 3, 20, 30 и 60 А (таблица 1). Они имеют корпуса для поверхностного монтажа SOT-23-3, PDFN5060-8L и TO-252 (рисунок 1), обладают широкой областью безопасной работы (SOA) и высокой надежностью.

 

Особенности новых P-канальных транзисторов YANGJIE:

 

Внешний вид корпусов новых P-канальных транзисторов YANGJIE

Рис. 1. Внешний вид корпусов новых P-канальных транзисторов YANGJIE

 

Таблица 1. Характеристики новых P-канальных MOSFET

Наименование

Напряжение "исток-сток" (VDS), В

Ток стока (ID), А

Пороговое напряжение затвора (Vth), В

Сопротивление перехода (Rdson) при V GS = 10 В, мОм

Общий заряд затвора (Qg), нКл

Диапазон рабочих температур кристалла, °C

Корпус

Мин.

Ном.

Макс.

Ном.

Макс.

YJL03P04A

-40

-3

-1,0

-1,5

-2,5

61

80

8,5

-55…150

SOT-23-3

YJG20P04A

-20

-1,1

-1,6

-2,5

23

30

17

PDFN5060-8L

YJD30P04A

-30

TO-252

YJG60P04A

-60

-1,2

-1,7

-2,5

5,5

7,5

99

PDFN5060-8L

 

Источник: www.compel.ru