Мощные СВЧ-транзисторы Philips Semiconductors

СВЧ-транзисторы применяются во многих областях человеческой деятельности: телевизионные и радиовещательные передатчики, ретрансляторы, радары гражданского и военного назначения, базовые станции сотовой системы связи, авионика и т. д.

В последние годы заметна тенденция перехода с биполярной технологии производства СВЧ-транзисторов на технологии VDMOS (Vertical Diffusion Metal Oxide Semiconductors) и LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors). Самая передовая технология LDMOS обладает наилучшими характеристиками, такими, как линейность, усиление, тепловые режимы, устойчивость к рассогласованию, высокий КПД, запас по рассеиваемой мощности, надежность. Производимые Philips транзисторы имеют исключительно высокую повторяемость характеристик от партии к партии, и компания Philips этим гордится. При замене вышедших из строя транзисторов можно не беспокоиться о процессе настройки оборудования заново, так как все параметры транзисторов абсолютно идентичны. Этим не может похвастаться ни один из конкурентов Philips.

Все новые разработки Philips базируются на новой современной LDMOS-технологии.

Транзисторы для базовых станций сотовой связи

Кроме транзисторов упакованных в корпуса, Philips выпускает интегрированные модули.

Таблица 1.Транзисторы LDMOS 800 МГц- 1,0 ГГц
Тип	Pвых, Вт	Корпус
BLF1043	10	SOT538
BLF1046	45	SOT467
BLF1049	125	SOT502A
BLF0810-90	16	SOT502A
BLF0810-180	32	SOT502A
BLF900-110	25	SOT502A

Таблица 2. Транзисторы LDMOS 1,8 - 2,0 ГГц
Тип	Pвых, Вт	Корпус
BLF2043	10	SOT538
BLF1822-10	10	SOT467C
BLF1822-30	30	SOT467C
BLF1820-70	65	SOT502A
BLF1820-90	90	SOT502A

Таблица 3. Транзисторы LDMOS 2,0 - 2,2 ГГц для WCDMA
Тип	PсрWCDMA,Вт	Корпус
BLF1822-10	1	SOT467C
BLF1822-30	4	SOT467C
BLF202230	4	SOT608A
BLF2022-70	7,5	SOT502A
BLF2022-120	20	SOT539A
BLF2022-125	20	SOT634A
BLF2022-150	25	SOT634A
BLF2022-180	35	SOT539A

Таблица 4. Основные интегрированные модули
Тип	Pвых, Вт	Технология	Частота	Область применения
BGY916	19	BIPOLAR	900 МГц	GSM
BGY916/5	19	BIPOLAR	900 МГц	GSM
BGY925	23	BIPOLAR	900 МГц	GSM
BGY925/5	23	BIPOLAR	900 МГц	GSM
BGY2016	19	BIPOLAR	1800-2000 МГц	GSM
BGF802-20	4	LDMOS	900-900 МГц	CDMA
BGF 844	20	LDMOS	800-900 МГц	GSM/EDGE (USA)
BGF944	20	LDMOS	900-1000 МГц	GSM/EDGE (EUROPE)
BGF1801-10	10	LDMOS	1800-1900 МГц	GSM/EDGE (EUROPE)
BGF1901-10	10	LDMOS	1900-2000 МГц	GSM/EDGE (USA)

Отличительные особенности интегрированных модулей:

LDMOS-технология (пайка прямо на радиатор, линейность, большее усиление), oпониженное искажение,
меньший нагрев полупроводника за счет использования медного фланца, o интегрированная компенсация температурного смещения,
50-омные входы/выходы,
линейное усиление,
поддержка многих стандартов (EDGE, CDMA).

Рекомендуемые решения для стандарта GSM: на 800 МГц: BGF844 + BLF1049 на 900 МГц: BGF944 + BLF1049 на 1800 МГц: BGF1801-10 + BLF1820-10 на 1900 МГц: BGF1901-10 + BLF1820-10

Рекомендуемые решения для стандарта CDMA: на 800 МГц: BGF802-20 + BLF0810-180 на 1900 МГц: BGF1901-10 + BLF1820-90

Рекомендуемые решения для стандарта EDGE:

BGF0810-90

выходная мощность: 40 Вт,
усиление: 16 дБ,
КПД: 37%,
ослабление мощности по соседнему каналу ACPR: -60 дБ,
амплитуда вектора ошибок EVM: 2%.

BLF1820-90

выходная мощность: 40 Вт,
усиление: 12 дБ,
КПД: 32%,
ослабление мощности по соседнему каналу ACPR: -60 дБ,
амплитуда вектора ошибок EVM: 2%.

Транзисторы для вещательных станций

На протяжении последних 25 лет компания Philips сохраняет лидерство в данной области. Использование последних достижений в технологии LDMOS (серии BLF1xx, BLF2xx, BLF3xx, BLF4xx, BLF5xx,) позволяет постоянно укреплять позиции на рынке. В качестве примера можно привести огромный успех транзистора BLF861 для ТВ-передатчиков. В отличие от транзисторов конкурентов, BLF861 зарекомендовал себя высоконадежным и высокостабильным элементом, защищенным от выхода из строя при отключении антенны. Никто из конкурентов не смог приблизиться к характеристикам BLF861 по стабильности работы. Можно назвать основные сферы применения таких транзисторов: передатчики на частоты от HF до 800 МГц, частные радиостанции PMR (TETRA), передатчики VHF гражданского и военного назначения.

Таблица 5. L- и S-полосные транзисторы для радаров
	Тип	F, ГГц	Vcc,B	Tp, мкс	Коэфф. заполнения, %	Мощность, Вт	КПД,%	Усиление, дБ
L-полоса	RZ1214B35Y	1,2-1,4	50	150	5	>35	>30	>7
	RZ1214B65Y	1,2-1,4	50	150	5	>70	>35	>7
	RX1214B130Y	1,2-1,4	50	150	5	>130	>35	>7
	RX1214B170W	1,2-1,4	42	500	10	>170	>40	>6
	RX1214B300Y	1,2-1,4	50	150	5	>250	>35	>7
	RX1214B350Y	1,2-1,4	50	130	6	>280	>40	>7
	Bill 21435	1,2-1,4	36	100	10	>35	45	>13
	BLL1214-250	1,2-1,4	36	100	10	>250	45	>13
S-полоса	BLS2731-10	2,7-3,1	40	100	10	>10	45	9
	BLS2731-20	2,7-3,1	40	100	10	>20	40	8
	BLS2731-50	2,7-3,1	40	100	10	>50	40	9
	BLS2731-110	2,7-3,1	40	100	10	>110	40	7,5
Верхняя S-полоса	BLS3135-10	3,1-3,5	40	100	10	>10	40	9
	BLS3135-20	3,1-3,5	40	100	10	>20	40	8
	BLS3135-50	3,1-3,5	40	100	10	>50	40	8
	BLS3135-65	3,1-3,5	40	100	10	>65	40	>7

Таблица 6. Транзисторы для авионики
	Тип	F,ГГц	Vcc,B	Tp, мкс	Коэфф. заполнения, %	Мощность, Вт	КПД,%	Усиление, дБ
BIPOLAR	MZ0912B50Y	0,96-1,215	50	10	10	>50	>42	>7
	MX0912B100Y	0,96-1,215	50	10	10	>100	>42	>7
	MX0912B251Y	0,96-1,215	50	10	10	>235	>42	>7
	MX0912B351Y	0,96-1,215	42	10	10	>325	>40	>7
LDMOS			Vds
	BLA1011-200	1,03-1,09	36	50	1	>200	50	15
	BLA1011-10	1,03-1,09	36	50	1	>10	40	16
	BLA1011-2	1,03-1,09	36	50	1	>2	-	18

Основные характеристики транзистора BLF861A

Push-pull-транзистор (двухтактный усилитель),
выходная мощность более 150 Вт,
усиление более 13 дБ,
КПД более 50%,
закрывает полосу от 470 до 860 МГц (полосы IV и V),
надежный, устойчивый к рассогласованию,
устойчив к отключению антенны,
является индустриальным стандартом в ТВ-передатчиках на сегодняшний день.

Новая модель транзистора BLF647

разработан на основе BLF861A,
большой коэффициент усиления 16 дБ на 600 МГц,
выходная мощность до 150 Вт,
закрывает полосу от 1,5 до 800 МГц,
надежный, устойчивый к рассогласованию,
устойчив к отключению антенны,
имеет встроенный резистор, позволяющий работать на частотах HF и VHF,
Push-pull-транзистор (двухтактный усилитель).

Транзистор BLF872

разрабатывается как более мощная замена BLF861A,
начало производства 1 квартал 2004 года,
выходная мощность до 250 Вт,
самый надежный транзистор по устойчивости к рассогласованию,
сохраняет линейность,
сохраняет надежность,
смещение тока Idq менее 10% на 20 лет,
коэффициент усиления более 14 дБ,
закрывает полосу от 470 до 860 МГц.

Транзисторы для радаров и авионики

Новые транзисторы Philips для радаров и авионики также производятся по современной LDMOS-технологии. Кристаллы, выполненные по технологии LDMOS, меньше нагреваются, являются более надежными, имеют большее усиление, не требуют изолятора между подложкой и радиатором. Соответственно, для достижения тех же характеристик требуется меньшее число транзисторов, что дополнительно повышает надежность и снижает стоимость изделия.

Новые разработки:

BLA0912-250

полоса от 960 до 1250 МГц (все главные частоты авионики),
высокое усиление до 13 дБ,
надежность, устойчивость к рассогласованию фаз 5:1,
линейность,
образцы будут доступны с июня 2003 года.

BLS2934-100

полоса от 2,9 до 3,4 ГГц (все главные частоты авионики),
использование стандартного негерметичного корпуса,
образцы будут доступны к концу 2003 года.

Подводя итоги, можно с уверенностью сказать, что компания Philips идет в ногу со временем и предлагает транзисторы, позволяющие создавать новые устройства, которые обладают более совершенными характеристиками: меньший размер, большая выходная мощность, меньшее число компонентов обвязки и меньшая цена конечного изделия.

Автор: Владимир Захаров,
Email: zww@gamma.spb.ru